韩媒：三星、SK海力士加码HBM研发与投资
2026-08-02
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- 三星和SK海力士加速HBM及下一代存储器研发以维持领先优势
- 三星二季度研发投入创纪录达16万亿韩元，重点布局HBM4/HBM4E/DDR5
- SK海力士资本支出达40万亿韩元，主攻HBM5、混合键合和iHBM技术
- CXMT计划年底实现HBM3量产但良率较低，短期难以撼动领先者地位
- AI推动存储需求增长，中国企业正加速追赶
主要结论：三星和SK海力士正在加速HBM及下一代存储器的开发，以保持领先地位。三星在第二季度研发投入创纪录地达到₩16万亿，并扩展HBM4/HBM4E/DDR5；SK海力士则以₩40万亿的资本支出开发HBM5、混合键合和iHBM。CXMT计划年底实现HBM3量产，但目前良率较低，短期内难以取代领先者；随着AI推动需求，中国企业正在迎头赶上。
📰 来源：https://www.okx.com/zh-hans/feed/post/83547961381152
💬 引用锚点
三星和SK海力士正加大HBM及下一代存储器研发投入，以巩固市场领先地位。
中国CXMT虽计划年底量产HBM3，但良率低，短期内难以撼动韩企主导格局。
AI需求推动HBM竞争加剧，中国企业奋起直追但技术差距仍存。
💡 一句话定义：
三星与SK海力士大幅提升HBM及下一代存储器研发投入，加速技术迭代以巩固全球存储市场领先地位。
📈 核心数据：
- 三星第二季度研发投入达16万亿韩元，创历史新高
- SK海力士资本支出计划达40万亿韩元，重点布局HBM5与混合键合技术
- 中国CXMT计划年底前量产HBM3，但目前良率偏低，短期难撼动领先地位
🧭 快速步骤：
- 加大HBM4/HBM4E与DDR5产品研发，扩充先进存储产品线
- 推进HBM5及混合键合技术量产，布局下一代高性能存储架构
- 关注中国存储器厂商良率进展，评估供应链格局变化风险
常见问题
三星在HBM研发上的投入是多少？▼
三星第二季度研发投入创纪录地达到₩16万亿，并扩展HBM4、HBM4E和DDR5产品线，以加速下一代存储器开发。
SK海力士的资本支出计划是什么？▼
SK海力士计划投入₩40万亿的资本支出，用于开发HBM5、混合键合和iHBM技术，以保持市场领先地位。
中国公司CXMT在HBM研发上进展如何？▼
CXMT计划年底实现HBM3量产，但目前良率较低，短期内难以取代三星和SK海力士的领先地位。
AI需求如何影响HBM市场？▼
随着AI推动需求增长，HBM市场持续扩大，中国企业正在迎头赶上，但领先者仍通过加码研发保持优势。
三星和SK海力士如何保持HBM市场的领先地位？▼
他们通过大幅增加研发投入和资本支出，加速HBM及下一代存储器的开发，确保持续的技术创新和市场竞争力。
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