SK 海力士正在为其下一代 HBM 方案引入先进封装技术

SK海力士将采用类似英特尔EMIB的先进封装技术，并朝3D封装方向发展以推进HBM。

在2026年Hot Chips大会上，副总裁李在锡表示将探索混合键合技术以突破16层堆叠限制。

需要增加TSV（硅通孔）、更快的IO、优化PDN（电源分配网络）以应对功耗和集成挑战。

混合键合技术是实现超过16层堆叠的关键，能够提升带宽并满足更高性能需求。

通过先进封装（EMIB类似技术）和3D堆叠创新，结合混合键合、TSV优化和PDN改进，保持HBM市场领先。

2026-08-24 63 次阅读 RSS订阅

主要结论：SK海力士将采用类似英特尔EMIB的先进封装技术，并朝向3D封装发展以推进HBM。支持细节：在2026年Hot Chips大会上，副总裁李在锡表示，他们将探索混合键合技术以突破16层堆叠，并增加TSV、更快的IO和PDN优化，以应对功耗和集成问题。

📰 来源：blockbeats

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SK海力士正探索混合键合等先进封装技术以突破HBM 16层堆叠瓶颈。

通过增加TSV、优化IO和PDN设计，SK海力士着力解决HBM的功耗与集成挑战。

SK海力士将采用类似英特尔EMIB的技术路线，加速向3D封装方向演进。

SK海力士的下一代HBM将采用什么封装技术？▼

SK海力士计划如何突破16层堆叠限制？▼

HBM封装中需要优化哪些关键技术？▼

混合键合技术对HBM发展有何意义？▼

SK海力士HBM技术的竞争策略是什么？▼

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