Citrini:预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息,7 月 16 日,市场研究机构 Citrini Research 最新预测,到 2030 年,全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口,规模预计达 28.7EB,约占当年总需求的 18%,对比今年全球总产能约 40EB。
根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据,2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB,供应能力仅约 128.8EB; 其中普通 DRAM 将是最大瓶颈,预估供应约每年 91EB,需求却高达 120EB,缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。
报告强调,即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产,新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。 造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发,因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心,连带推升传统服务器 DRAM 需求。 在紧平衡下,DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位,预计落在每 Gb1.5-2 美元,伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
📰 来源:techflowpost
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到2030年全球DRAM市场将面临28.7EB的巨大供应缺口,占总需求的18%,市场将迈入长期供需紧张周期。
AI基础设施爆发是DRAM供需失衡的核心原因,新增产能将被飞涨的AI及HBM需求快速吸收。
在供需紧平衡下,DRAM平均售价将长期维持高位,导致服务器、PC及消费电子的内存成本持续承压。
常见问题
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为何会产生如此大规模的DRAM缺口?▼
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