长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产

2026-09-20 1 次阅读 RSS订阅
主要结论：长鑫存储的第五代工艺平台已实现量产。其活跃区半间距达到11.95纳米，电容器纵横比为45:1，核心能量区高度为6762纳米，且每片晶圆的良率提升超过50%。该平台的24GB LPDDR5X产品现已为国产旗舰手机量产。

📰 来源：techflowpost

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长鑫存储第五代工艺平台已实现量产，其活跃区半间距达11.95纳米。
该平台电容器纵横比为45:1，每片晶圆良率提升超过50%。
其24GB LPDDR5X产品现已为国产旗舰手机实现量产。

常见问题

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