三星电子扩大与英伟达NAND供应合作，加速V9、V10闪存布局
2026-07-21
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- 三星通过供应V-NAND芯片扩大与英伟达的NAND闪存合作。
- 三星已量产V10闪存并开始向英伟达供货。
- 三星正提升V9产能，约占每月10万片晶圆产量的60%。
- 三星正在研发下一代500层V-NAND技术V11。
主要结论是：三星通过供应V-NAND芯片，扩大与英伟达的NAND闪存合作。三星已开始量产V10，并向英伟达供应，提升V9产能（约占月10万片晶圆的60%），并开发V11 500层V-NAND。
📰 来源：blockbeats
💬 引用锚点
三星通过量产V10并扩充V9产能，持续深化与英伟达在V-NAND闪存领域的供应合作。
V9目前约占三星月产十万片晶圆的六成，构成其对英伟达闪存供应的主力梯队。
三星正同步推进500层V11 V-NAND研发，以技术迭代巩固高端闪存长期供应链优势。
💡 一句话定义：
三星扩大与英伟达NAND闪存供应合作，加速V9、V10及V11产品布局。
📈 核心数据：
- 三星已量产V10闪存并开始向英伟达供应
- V9产能约占每月10万片晶圆的60%
- 三星正开发采用500层技术的V11 V-NAND
🧭 快速步骤：
- 关注英伟达存储供应链动态与合作进展
- 跟踪三星V-NAND闪存量产与产能变化
- 监控V10、V11等新一代闪存产品发布节奏
常见问题
三星电子此次与英伟达的合作主要涉及哪些NAND闪存产品？▼
此次合作主要涉及V9和V10 V-NAND闪存产品。三星已开始量产V10并向英伟达供货，同时提升V9产能，使其约占每月10万片晶圆的60%。
三星目前的V10闪存量产进度如何？▼
三星已正式启动V10闪存的量产，并开始向英伟达稳定供应，旨在满足AI数据中心对高性能大容量NAND存储快速增长的需求。
三星是否已规划下一代V-NAND技术？▼
是的，三星正在研发代号为V11的下一代500层V-NAND技术，将进一步突破堆叠层数限制，提升闪存密度与整体读写性能。
三星扩大与英伟达的NAND合作对AI算力生态有何战略意义？▼
该合作有助于优化AI服务器和数据中心的存储架构，缓解高端NAND产能紧张局面，同时强化三星在AI基础设施供应链中的核心地位。
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