大摩：传统存储没有长协未必是坏事，DDR4 和 SLC NAND 正处涨价最强周期

深潮 TechFlow 消息，据潮向研究，摩根士丹利 8月 14 日研报指出，DDR4、SLC NAND和 NOR Flash 三大传统存储产品基本面持续改善，供需缺口扩大、定价权增强，主流厂商退出 DDR4 供应的速度比预期更快。大摩预计 DDR4 3Q26 涨价 50%，4Q26 再涨 10%以上；SLC NAND 3Q26和 4Q26 价格涨幅均超 50%，供给紧张可能延续至 2027 年；NOR Flash 4Q26 还将有一轮上调，动能可能延续至 1H27。 研报判断，市场对传统存储周期的可持续性定价过于悲观。大摩将旺宏、华邦电、兆易创新、力积电盈利预测全面上调，AP Memory因 SiCap 业务列为首选标的，偏好排序为 AP Memory > 兆易创新 > 旺宏 > 华邦电 > 力积电 > 南亚科。旺宏 2026至 2028 年每股收益分别上调 139%、144%和 147%；兆易创新分别上调 108%、49%和 48%。大摩认为，没有 LTAs（长期协议）意味着没有价格上限的束缚，当供给缺口扩大、定价权掌握在供应商手中时，传统存储厂商的利润弹性反而更大。

📰 来源：techflowpost